Datasheet IPB34CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 27 А, 100 В, PG-TO263-3 — Даташит

Infineon IPB34CN10N G

Наименование модели: IPB34CN10N G

Купить IPB34CN10N G на РадиоЛоцман.Цены — от 534 до 548 ₽ 9 предложений от 3 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
Akcel Весь мир	IPB34CN10NG Infineon	от 534 ₽
Utmel Весь мир	IPB34CN10NG Infineon	от 548 ₽
Acme Chip Весь мир	IPB34CN10NG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 27 А, 100 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 25 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3
Current Id Max: 27 А
Power Dissipation Pd: 58 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть