LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet IPB50CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 А, 100 В, PG-TO263-3 — Даташит

Infineon IPB50CN10N G

Наименование модели: IPB50CN10N G

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
LifeElectronics
Россия
IPB50CN10NG
Infineon
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
IPB50CN10NG
по запросу
Acme Chip
Весь мир
IPB50CN10NG
по запросу
Akcel
Весь мир
IPB50CN10NG
Infineon
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 А, 100 В, PG-TO263-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
$= ;0@/?& @9 9 -= D 7MI[YMZ ) 5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 38 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 20 А
  • Power Dissipation Pd: 44 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IPB50CN10N G - Infineon MOSFET, N CH, 20 A, 100 V, PG-TO263-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России