Datasheet IPB50CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 А, 100 В, PG-TO263-3 — Даташит
Наименование модели: IPB50CN10N G
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | |||
IPB50CN10NG Infineon | по запросу | ||
IPB50CN10NG | по запросу | ||
IPB50CN10NG | по запросу | ||
IPB50CN10NG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 А, 100 В, PG-TO263-3
Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"#
$ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
$= ;0@/?& @9 9 -= D 7MI[YMZ )
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 38 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 20 А
- Power Dissipation Pd: 44 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть