Datasheet IPB50R299CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит

Купить IPB50R299CP на РадиоЛоцман.Цены — от 92 до 343 ₽ 13 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, D2PAK N-CH 550V 12A
T-electron Россия и страны СНГ	IPB50R299CP Infineon	92 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IPB50R299CP Infineon	100 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IPB50R299CP Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IPB50R299CP Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB50R299CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 550 0.299 23 V nC
PG-TO263

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Current Id Max: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 550 В
• On Resistance Rds(on): 299 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 550 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 104 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: TO-263
• Тип транзистора: Power MOSFET
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)