Datasheet IPB50R299CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит

Infineon IPB50R299CP

Наименование модели: IPB50R299CP

Купить IPB50R299CP на РадиоЛоцман.Цены — от 105 до 221 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков D2PAK N-CH 550V 12A
T-electron Россия и страны СНГ	IPB50R299CP Infineon	105 ₽
AiPCBA Весь мир	IPB50R299CP Infineon	202 ₽
ЧипСити Россия	IPB50R299CP Infineon	221 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IPB50R299CP	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB50R299CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 550 0.299 23 V nC
PG-TO263

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 12 А
Current Id Max: 12 А
Drain Source Voltage Vds: 550 В
On Resistance Rds(on): 299 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Voltage Vds Typ: 550 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-263
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 104 Вт
Способ монтажа: SMD
Тип корпуса: TO-263
Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: да
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)