Datasheet IPB60R099C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 37.9 А, TO263 — Даташит
Наименование модели: IPB60R099C6
![]() 30 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3 | |||
IPB60R099C6ATMA1 Infineon | от 113 ₽ | ||
IPB60R099C6ATMA1 Infineon | 234 ₽ | ||
IPB60R099C6ATMA1 Infineon | 404 ₽ | ||
IPB60R099C6 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 37.9 А, TO263
Краткое содержание документа:
GIM@?N
+ =L D- PA 1 =E A F
!GGD+ - 1 !
4 !G D - 1 Y ! .
G G+ O=J2J FKKG 9 AL J '. P 0 !
" 991 @==L L
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.09 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 2
- Current Id Max: 37.9 А
- Power Dissipation Pd: 278 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- Fischer Elektronik - WLK 5
- MULTICORE (SOLDER) - 698840