HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IPB60R099C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 37.9 А, TO263 — Даташит

Infineon IPB60R099C6

Наименование модели: IPB60R099C6

19 предложений от 11 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3
T-electron
Россия и страны СНГ
IPB60R099C6ATMA1
Infineon
255 ₽
ЧипСити
Россия
IPB60R099C6ATMA1
Infineon
420 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IPB60R099C6
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
IPB60R099C6
Infineon
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 37.9 А, TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GIM@?N
+ =L D- PA 1 =E A F=;L2J FKKG 9 <= ;G G =D > 9 AL J
!GGD+ - 1 !
4 !G D - 1 Y ! .

G G+ O=J2J FKKG 9 AL J '. P 0 !
" 991 @==L L

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.09 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 2
  • Current Id Max: 37.9 А
  • Power Dissipation Pd: 278 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

На английском языке: Datasheet IPB60R099C6 - Infineon MOSFET, N CH, 600 V, 37.9 A, TO263

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России