Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IPB60R125C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO263 — Даташит

Infineon IPB60R125C6

Наименование модели: IPB60R125C6

39 предложений от 16 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3
AllElco Electronics
Весь мир
IPB60R125C6ATMA1
Infineon
от 98 ₽
727GS
Весь мир
IPB60R125C6
Infineon
от 241 ₽
Элитан
Россия
IPB60R125C6ATMA1
Infineon
422 ₽
Maybo
Весь мир
IPB60R125C6ATMA1
Infineon
451 ₽

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GIM@?N
+ =L D- PA 1 =E A F=;L2J FKKG 9 <= ;G G =D > 9 AL J
!GGD+ - 1 !
4 !G D - 1 Y ! .

G G+ O=J2J FKKG 9 AL J '. P 0 !
" 991 @==L L

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.11 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 2
  • Current Id Max: 30 А
  • Power Dissipation Pd: 219 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

На английском языке: Datasheet IPB60R125C6 - Infineon MOSFET, N CH, 600 V, 30 A, TO263

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка