Datasheet IPB60R125C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO263 — Даташит

Купить IPB60R125C6 на РадиоЛоцман.Цены — от 210 до 727 ₽ 20 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3
T-electron Россия и страны СНГ	IPB60R125C6 Infineon	210 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPB60R125C6ATMA1 Infineon	338 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IPB60R125C6ATMA1 Infineon	от 727 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	IPB60R125C6ATMA1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GIM@?N
+ =L D- PA 1 =E A F=;L2J FKKG 9 <= ;G G =D > 9 AL J
!GGD+ - 1 !
4 !G D - 1 Y ! .

G G+ O=J2J FKKG 9 AL J '. P 0 !
" 991 @==L L

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 0.11 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 2
• Current Id Max: 30 А
• Power Dissipation Pd: 219 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• CHEMTRONICS - CW8400
• Fischer Elektronik - WLK 5
• MULTICORE (SOLDER) - 698840