Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet IPB60R160C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 23.8 А, TO263 — Даташит

Infineon IPB60R160C6

Наименование модели: IPB60R160C6

35 предложений от 16 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 23.8 А, 0.14 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
IPB60R160C6ATMA1
Infineon
от 290 ₽
IPB60R160C6ATMA1
Infineon
от 320 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
IPB60R160C6
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
IPB60R160C6ATMA1
Infineon
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 23.8 А, TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
CoolMOS C6
600V CoolMOSTM C6 Power Transistor IPx60R160C6
Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.14 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 2
  • Current Id Max: 23.8 А
  • Power Dissipation Pd: 176 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

На английском языке: Datasheet IPB60R160C6 - Infineon MOSFET, N CH, 600 V, 23.8 A, TO263

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка