Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet IPB60R160C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 23.8 А, TO263 — Даташит

Infineon IPB60R160C6

Наименование модели: IPB60R160C6

28 предложений от 14 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
T-electron
Россия и страны СНГ
IPB60R160C6ATMA1
Infineon
141 ₽
ЧипСити
Россия
IPB60R160C6
Infineon
169 ₽
IPB60R160C6ATMA1
Infineon
от 536 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IPB60R160C6 TR
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 23.8 А, TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
CoolMOS C6
600V CoolMOSTM C6 Power Transistor IPx60R160C6
Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.14 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 2
  • Current Id Max: 23.8 А
  • Power Dissipation Pd: 176 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

На английском языке: Datasheet IPB60R160C6 - Infineon MOSFET, N CH, 600 V, 23.8 A, TO263

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России