Datasheet IPB60R190C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20.2 А, TO263 — Даташит
Наименование модели: IPB60R190C6
![]() 41 предложений от 19 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 20.2 А, 0.17 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
IPB60R190C6ATMA1 Infineon | от 57 ₽ | ||
IPB60R190C6 Infineon | от 138 ₽ | ||
IPB60R190C6ATMA1 Infineon | 265 ₽ | ||
IPB60R190C6ATMA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20.2 А, TO263
Краткое содержание документа:
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
CoolMOS C6
600V CoolMOSTM C6 Power Transistor IPx60R190C6
Data Sheet
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.17 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 2
- Current Id Max: 20.2 А
- Power Dissipation Pd: 151 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- Fischer Elektronik - WLK 5
- MULTICORE (SOLDER) - 698840