Клеммы, реле, разъемы Degson со склада и на заказ

Datasheet IPB60R190C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20.2 А, TO263 — Даташит

Infineon IPB60R190C6

Наименование модели: IPB60R190C6

42 предложений от 18 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 20.2 А, 0.17 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Microfind
Россия
IPB60R190C6-VB
152 ₽
Элитан
Россия
IPB60R190C6ATMA1
Infineon
256 ₽
IPB60R190C6ATMA1
Infineon
от 347 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
IPB60R190C6ATMA1
Infineon
по запросу
LED-драйверы – ключевые элементы современных световых и промышленных систем

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20.2 А, TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
CoolMOS C6
600V CoolMOSTM C6 Power Transistor IPx60R190C6
Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.17 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 2
  • Current Id Max: 20.2 А
  • Power Dissipation Pd: 151 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840

На английском языке: Datasheet IPB60R190C6 - Infineon MOSFET, N CH, 600 V, 20.2 A, TO263

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка