Datasheet IPB60R199CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит

Купить IPB60R199CP на РадиоЛоцман.Цены — от 94 до 826 ₽ 15 предложений от 13 поставщиков МОП-транзистор COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
Lixinc Electronics Весь мир	IPB60R199CP Infineon	от 202 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IPB60R199CP Infineon	208 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IPB60R199CP Infineon	826 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPB60R199CP Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB60R199CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ONxQg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 V
0.199 33 nC

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 16 А
• Current Id Max: 16 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 199 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 139 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: TO-263
• Тип транзистора: Power MOSFET
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)