KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet IPB60R199CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит

Infineon IPB60R199CP

Наименование модели: IPB60R199CP

12 предложений от 9 поставщиков
МОП-транзистор COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
ЧипСити
Россия
IPB60R199CP
Infineon
107 ₽
AiPCBA
Весь мир
IPB60R199CP
Infineon
113 ₽
Acme Chip
Весь мир
IPB60R199CP/6R199P
по запросу
IPB60R199CP_09
Infineon
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB60R199CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ONxQg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 V
0.199 33 nC

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 16 А
  • Current Id Max: 16 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 199 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Voltage Vds Typ: 650 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 139 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип корпуса: TO-263
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet IPB60R199CP - Infineon MOSFET, N, TO-263

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России