Datasheet IPD038N04N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 40 В, PG-TO252-3 — Даташит

Infineon IPD038N04N G

Наименование модели: IPD038N04N G

Купить IPD038N04N G на РадиоЛоцман.Цены Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN
Кремний Россия и страны СНГ	IPD038N04NG	по запросу
Akcel Весь мир	IPD038N04NG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPD038N04NG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 40 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IdQ
$ " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ P 1B B C 89 & ( , - 6 A, & ) , C F9 >7 3 ? P ( @C I54 C 8>? < 7H 6 A 3 ? >E5A5A 9 =9 53 ? ? C B P * D 954 13 3 ? A >7 C $ 1<6 9 49 ? P' 3 81>>5< >? A =1<< 5E5< P G 5<5>C71C 3 81A G' 9H"[Z# @A 4D C ( & 3 < 5 75 ? 3 P.

5A < F ? >A 9C 5 ' 9H"[Z# H? 5BB1>3 P E1< 85 C C 1>3 5B54 P ) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>C A 1C >7 9 C`XM #) ' ' !
)#

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 3.2 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3
Current Id Max: 90 А
Power Dissipation Pd: 94 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть