Datasheet IPD088N04L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 40 В, PG-TO252-3 — Даташит

Infineon IPD088N04L G

Наименование модели: IPD088N04L G

Купить IPD088N04L G на РадиоЛоцман.Цены Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IPD088N04LG Infineon	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IPD088N04LG	по запросу
Akcel Весь мир	IPD088N04LG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPD088N04LG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 40 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Je]R
% # !
"%&$!"# % .;?6 <> (> ?@
7NJ]ZN[ Q 2 C C 49:? 8 ' ) - .

7 - ' * D G:D @B Q ) AD :J65 D :> 649? @= 7 4@? F6B 6B @8I @B D C Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @ Q( 492 ? ? 6== @8:4 = 6F6= Q H = D82 D 492 B H( 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E Q/ 6B = @? B :C2 ? 46 ( 9I"[# I @G 6C D Q F2 =? 496 D D 2 6C65 Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2 #* ( & ! DaYN Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2
)#

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 7.3 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3
Current Id Max: 50 А
Power Dissipation Pd: 47 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть