Datasheet IPD090N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO252-3 — Даташит

Infineon IPD090N03L G

Наименование модели: IPD090N03L G

Купить IPD090N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 131 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3Pin(2+Tab) DPAK
ЧипСити Россия	IPD090N03LG Infineon	40 ₽
AiPCBA Весь мир	IPD090N03LG Infineon	47 ₽
Контест Россия	IPD090N03LG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPD090N03LG	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD090N03L G IPS090N03L G
IPF090N03L G IPU090N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPD090N03L G IPF090N03L G

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 7.5 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3
Current Id Max: 40 А
Power Dissipation Pd: 42 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть