Datasheet IPD105N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 35 А, 30 В, PG-TO252-3 — Даташит

Купить IPD105N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 142 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN
AiPCBA Весь мир	IPD105N03LG Infineon	34 ₽	Купить
Триема Россия	IPD105N03LG-VB	142 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	IPD105N03LG Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IPD105N03LG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 35 А, 30 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD105N03L G IPS105N03L G
IPF105N03L G IPU105N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPD105N03L G IPF105N03L G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 8.8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 35 А
• Power Dissipation Pd: 38 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть