HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IPD25CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 35 А, TO252-3 — Даташит

Infineon IPD25CN10N G

Наименование модели: IPD25CN10N G

7 предложений от 7 поставщиков
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
ЧипСити
Россия
IPD25CN10NG
Infineon
49 ₽
AiPCBA
Весь мир
IPD25CN10NG
Infineon
64 ₽
ChipWorker
Весь мир
IPD25CN10NG
Infineon
64 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IPD25CN10NG
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 35 А, TO252-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"#a $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 35 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.019 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Рассеиваемая мощность: 71 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet IPD25CN10N G - Infineon MOSFET, N-CH, 100 V, 35 A, TO252-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России