Datasheet IPD50R399CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Купить IPD50R399CP на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 183 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, DPAK N-CH 500V 9A
Maybo Весь мир	IPD50R399CP Infineon	183 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPD50R399CP - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IPD50R399CP (ST-STD11NM50N) Texas Instruments	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPD50R399CP Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPD50R399CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 550 0.399 17 V nC
PG-TO252

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 9 А
• Current Id Max: 9 А
• Drain Source Voltage Vds: 550 В
• On Resistance Rds(on): 399 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 550 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 83 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: TO-252
• Тип транзистора: Power MOSFET
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)