Datasheet IPD50R520CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Купить IPD50R520CP на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 142 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков МОП-транзистор COOL MOS PWR TRANS 500V 0.520 Ohms
727GS Весь мир	IPD50R520CP Infineon	13 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IPD50R520CP Infineon	90 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPD50R520CP Infineon	112 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPD50R520CP Infineon	118 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD50R520CP
CoolMOSTM Power Transistor
Package · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 550 0.520 13 V nC

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 7.1 А
• Current Id Max: 7.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 550 В
• On Resistance Rds(on): 520 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 550 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 66 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: TO-252
• Тип транзистора: Power MOSFET
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)