Datasheet IPD60R385CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Купить IPD60R385CP на РадиоЛоцман.Цены — от 107 до 187 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Транзисторы полевые/MOSFETs
ChipWorker Весь мир	IPD60R385CP Infineon	107 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPD60R385CP Infineon	107 ₽	Купить
Microfind Россия	IPD60R385CP Infineon	124 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPD60R385CP Infineon	187 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPD60R385CP
CoolMOS® Power Transistor
Features · Worldwide best R ds,on in TO252 · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 V
0.385 17 nC

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 9 А
• Current Id Max: 9 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 385 МОм
• Pulse Current Idm: 27 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 83 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: TO-252
• Тип транзистора: Power MOSFET
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)