Datasheet IPD60R520CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Купить IPD60R520CP на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 142 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, TO-252, 3 PIN
AiPCBA Весь мир	IPD60R520CP Infineon	48 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPD60R520CP Rochester Electronics	55 ₽	Купить
МосЧип Россия	IPD60R520CP Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPD60R520CP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPD60R520CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max @ Tj = 25°C Q g,typ 650 V
0.520 24 nC

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 6.8 А
• Current Id Max: 6.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 520 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 66 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: TO-252
• Тип транзистора: Power MOSFET
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)