Datasheet IPD90R1K2C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Купить IPD90R1K2C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 58 до 260 ₽ 26 предложений от 13 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Akcel Весь мир	IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon	от 58 ₽	Купить
Utmel Весь мир	IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon	от 58 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon	59 ₽	Купить
Триема Россия	IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon	123 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPD90R1K2C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Ultra low gate charge
Product Summary V DS @ T J=25°C R DS(on),max @T J=25°C Q g,typ 900 1.2 28 V nC
PG-TO252

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 5.1 А
• Current Id Max: 5.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 900 В
• On Resistance Rds(on): 1.2 Ом
• Pulse Current Idm: 10 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 900 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 83 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: TO-252
• Тип транзистора: Power MOSFET
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)