Datasheet IPI50R140CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит
Наименование модели: IPI50R140CP
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, TO-262 N-CH 500V 23A | |||
IPI50R140CP Infineon | 157 ₽ | ||
IPI50R140CP Infineon | 175 ₽ | ||
IPI50R140CP Infineon | 350 ₽ | ||
IPI50R140CP - Infineon Technologies Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-262
Краткое содержание документа:
IPI50R140CP
CoolMOS® Power Transistor
Features · Worldwide best R DS ,on in TO220 · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 550 0.140 48 V nC
TO-262-3-1
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 23 А
- Drain Source Voltage Vds: 550 В
- On Resistance Rds(on): 140 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-262
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 23 А
- Тип корпуса: TO-262
- Power Dissipation Pd: 192 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 550 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A