Datasheet IPI50R350CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит

Купить IPI50R350CP на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 1 344 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
ЧипСити Россия	IPI50R350CP Infineon	57 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPI50R350CP Rochester Electronics	67 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IPI50R350CP Infineon	от 377 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IPI50R350CP Infineon	1 344 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-262

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPI50R350CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 550 0.350 19 V nC
PG-TO262

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10 А
• Drain Source Voltage Vds: 550 В
• On Resistance Rds(on): 350 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-262
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 10 А
• Тип корпуса: TO-262
• Power Dissipation Pd: 89 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 550 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A