Datasheet IPI60R099CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит

Купить IPI60R099CP на РадиоЛоцман.Цены — от 243 до 738 ₽ 29 предложений от 14 поставщиков МОП-транзистор COOL MOS N-CH 600V 0.099Ohms
Lixinc Electronics Весь мир	IPI60R099CP Rochester Electronics	310 ₽	Купить
ЭИК Россия	IPI60R099CP Infineon	от 738 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	IPI60R099CP_08 Infineon	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	IPI60R099CP Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-262

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPI60R099CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Worldwide best R ds,on in TO220 · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 0.099 60 V nC
PG-TO262

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 31 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 99 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-262
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 31 А
• Тип корпуса: TO-262
• Power Dissipation Pd: 255 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A