Datasheet IPI60R125CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит

Купить IPI60R125CP на РадиоЛоцман.Цены — от 186 до 1 258 ₽ 11 предложений от 10 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
ChipWorker Весь мир	IPI60R125CP Infineon	317 ₽	Купить
727GS Весь мир	IPI60R125CP Rochester Electronics	от 412 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPI60R125CP - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPI60R125CP 6R125P Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-262

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPI60R125CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ONxQg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 V
0.125 53 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 25 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 125 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-262
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 25 А
• Тип корпуса: TO-262
• Power Dissipation Pd: 208 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A