Datasheet IPI60R190C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20.2 А, TO262 — Даташит
Наименование модели: IPI60R190C6
![]() 41 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO262-3 | |||
IPI60R190C6XKSA1 Infineon | от 46 ₽ | ||
IPI60R190C6 Infineon | 98 ₽ | ||
IPI60R190C6XKSA1 Rochester Electronics | от 109 ₽ | ||
IPI60R190C6 Infineon | 109 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20.2 А, TO262
Краткое содержание документа:
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
CoolMOS C6
600V CoolMOSTM C6 Power Transistor IPx60R190C6
Data Sheet
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.17 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-262
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 20.2 А
- Power Dissipation Pd: 151 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 245 MI 247 V
- MULTICORE (SOLDER) - 1399075-M
- Multicomp - MK3311