Datasheet IPI90R1K0C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит

Купить IPI90R1K0C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 80 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
ЧипСити Россия	IPI90R1K0C3 Infineon	61 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPI90R1K0C3 Infineon	65 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IPI90R1K0C3 Infineon	77 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	IPI90R1K0C3 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-262

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPI90R1K0C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Ultra low gate charge
Product Summary V DS @ T J=25°C R DS(on),max @ T J= 25°C Q g,typ 900 1.0 34 V nC
PG-TO262

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 900 В
• On Resistance Rds(on): 1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-262
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 5.7 А
• Тип корпуса: TO-262
• Power Dissipation Pd: 89 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 900 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A