Datasheet IPI90R340C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит
Наименование модели: IPI90R340C3
![]() 22 предложений от 13 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба | |||
IPI90R340C3XKSA2 Infineon | от 78 ₽ | ||
IPI90R340C3XKSA1 Infineon | 189 ₽ | ||
IPI90R340C3XKSA1 Infineon | 343 ₽ | ||
IPI90R340C3XKSA2 | от 505 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-262
Краткое содержание документа:
IPI90R340C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Worldwide best R DS,on in TO262 (I2Pak) · Ultra low gate charge
Product Summary V DS @ T J=25°C R DS(on),max @T J=25°C Q g,typ 900 0.34 94 V nC
PG-TO262
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 15 А
- Drain Source Voltage Vds: 900 В
- On Resistance Rds(on): 340 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-262
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 15 А
- Тип корпуса: TO-262
- Power Dissipation Pd: 208 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 900 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A