Datasheet IPP041N04N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 А, 40 В, PG-TO220-3 — Даташит

Infineon IPP041N04N G

Наименование модели: IPP041N04N G

Купить IPP041N04N G на РадиоЛоцман.Цены — от 67 до 102 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков OptiMOS?„?3 Power-Transistor
AiPCBA Весь мир	IPP041N04NG Infineon	67 ₽
ChipWorker Весь мир	IPP041N04NG Infineon	68 ₽
ЧипСити Россия	IPP041N04NG Infineon	102 ₽
ЗУМ-СМД Россия	IPP041N04NG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 А, 40 В, PG-TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPP041N04N G IPB041N04N G
!"#$%!& 3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC1) for target applications · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 100% Avalanche tested · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type IPB041N04N G IPP041N04N G
TM

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 3.3 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-220
Количество выводов: 3
Current Id Max: 80 А
Power Dissipation Pd: 94 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть