Datasheet IPP057N06N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 А, 60 В, PG-TO220-3 — Даташит
Наименование модели: IPP057N06N3 G
Купить IPP057N06N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 73 до 170 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3Pin(3+Tab) TO-220 | |||
IPP057N06N3G Infineon | 73 ₽ | ||
IPP057N06N3G Infineon | 73 ₽ | ||
IPP057N06N3G Infineon | по запросу | ||
IPP057N06N3G | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 А, 60 В, PG-TO220-3
Краткое содержание документа:
IeQ
IPB054N06N3 G IPP057N06N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 C
B
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 4.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 80 А
- Power Dissipation Pd: 115 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть