Datasheet IPP60R099CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить IPP60R099CP на РадиоЛоцман.Цены — от 102 до 1 391 ₽ 18 предложений от 14 поставщиков МОП-транзистор МОП-транзистор N-Channel
Стандарт СИЗ Россия	IPP60R099CP (ST-STP34NM60N) STMicroelectronics	102 ₽	Купить
Десси Россия	Транзистор биполярный IPP60R099CP Infineon	340 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	IPP60R099CP=6R099 Infineon	по запросу	Купить
Utmel Весь мир	IPP60R099CP Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPP60R099CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Worldwide best R ds,on in TO220 · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 0.099 60 V nC
PG-TO220

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 31 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 99 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 31 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 255 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A