Datasheet IPP60R099CPA - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IPP60R099CPA
Купить IPP60R099CPA на РадиоЛоцман.Цены — от 437 до 823 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 600V 31A TO-220 | |||
IPP60R099CPA Infineon | 437 ₽ | ||
IPP60R099CPA Infineon | 772 ₽ | ||
IPP60R099CPA Infineon | 813 ₽ | ||
IPP60R099CPA - Infineon Technologies Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
IPP60R099CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Worldwide best R ds,on in TO220 · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 0.099 60 V nC
PG-TO220
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 31 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 99 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 31 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 255 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A