На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet IPS090N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO251-3 — Даташит

Infineon IPS090N03L G

Наименование модели: IPS090N03L G

ТаймЧипс
Россия
IPS090N03LG
Infineon
по запросу
Acme Chip
Весь мир
IPS090N03LG
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO251-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD090N03L G IPS090N03L G
IPF090N03L G IPU090N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPD090N03L G IPF090N03L G

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 7.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-251
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 40 А
  • Power Dissipation Pd: 42 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IPS090N03L G - Infineon MOSFET, N CH, 40 A, 30 V, PG-TO251-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России