Datasheet IPS50R520CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-251 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-251

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPS50R520CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 550 0.520 13 V nC
PG-TO251

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 550 В
• On Resistance Rds(on): 520 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-251
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 7.1 А
• Тип корпуса: TO-251
• Power Dissipation Pd: 66 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 550 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A