Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet IPU060N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO251-3 — Даташит

Infineon IPU060N03L G

Наименование модели: IPU060N03L G

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
ЧипСити
Россия
IPU060N03LG
Infineon
405 ₽
Acme Chip
Весь мир
IPU060N03LG
Infineon
по запросу
IPU060N03LG
Infineon
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO251-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD060N03L G IPS060N03L G
IPF060N03L G IPU060N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant IPD060N03L G Type · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant IPF060N03L G

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-251
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 50 А
  • Power Dissipation Pd: 56 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IPU060N03L G - Infineon MOSFET, N CH, 50 A, 30 V, PG-TO251-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России