Datasheet IPW60R045CS - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: IPW60R045CS
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | |||
| IPW60R045CS Infineon | 7 650 ₽ | ||
| IPW60R045CS | по запросу | ||
| IPW60R045CS Infineon | по запросу | ||
| IPW60R045CS Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IPW60R045CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Worldwide best R ds,on in TO247 · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tjmax R DS(on),max Q g,typ 650 0.045 150 V nC
PG-TO247-3-1 CS CoolMOS is specially designed for: · Hard switching SMPS topologies
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 40 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Альтернативный тип корпуса: SOT-249
- Current Id Max: 60 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 431 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 431 Вт
- Pulse Current Idm: 230 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5
