Datasheet SPA11N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить SPA11N60CFD на РадиоЛоцман.Цены — от 103 до 315 ₽ 17 предложений от 15 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULLPAK-3
T-electron Россия и страны СНГ	SPA11N60CFD Infineon	145 ₽	Купить
ИМЭК Россия и страны ТС	SPA11N60CFD	315 ₽	Купить
Augswan Весь мир	SPA11N60CFD Infineon	по запросу	Купить
МосЧип Россия	SPA11N60CFD_10 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPA11N60CFD
CoolMOSTM Power Transistor
Features · New revolutionary high voltage technology · Intrinsic fast-recovery body diode · Extremely low reverse recovery charge · Ultra low gate charge · Extreme dv /dt rated · High peak current capability · Periodic avalanche rated · Qualified according to JEDEC0) for target applications
Product Summary V DS R DS(on),max I D1) 600 0.44 11 V A
PG-TO220-3-31

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 440 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 11 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 33 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A