Datasheet SPB17N80C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит

Купить SPB17N80C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 753 ₽ 44 предложений от 21 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3
727GS Весь мир	SPB17N80C3ATMA1 Infineon	от 53 ₽	Купить
Контест Россия	SPB17N80C3	691 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SPB17N80C3	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SPB17N80C3 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB17N80C3
CoolMOS® Power Transistor
Features · new revolutionary high voltage technology · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Ultra low gate charge · Ultra low effective capacitances
Product Summary V DS R DS(on)max @ Tj = 25°C Q g,typ 800 0.29 91 V nC
PG-TO263

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 17 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On Resistance Rds(on): 290 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 17 А
• Тип корпуса: TO-263
• Power Dissipation Pd: 227 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A