Datasheet SPB20N60S5 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит

Купить SPB20N60S5 на РадиоЛоцман.Цены — от 72 до 592 ₽ 40 предложений от 22 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
727GS Весь мир	SPB20N60S5ATMA1 Infineon	от 72 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SPB20N60S5 Infineon	276 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SPB20N60S5ATMA1 Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SPB20N60S5 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB20N60S5 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance
VDS RDS(on) ID
600 0.19 20
PG-TO263

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 190 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 20 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 190 МОм
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 208 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 208 Вт
• Pulse Current Idm: 40 А
• SMD Marking: 20N60S5
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5