Datasheet SPD02N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, COOLMOS, D-PAK — Даташит

Купить SPD02N60C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 281 ₽ 27 предложений от 18 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
AiPCBA Весь мир	SPD02N60C3 Infineon	28 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SPD02N60C3 Rochester Electronics	32 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SPD02N60C3 Infineon	от 281 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SPD02N60C3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, COOLMOS, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VDS
· · · · ·
G
Tjmax
G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• Альтернативный тип корпуса: D-PAK
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 50mJ
• Current Iar: 1.8 А
• Current Id Max: 1.8 А
• Current Idss Max: 1 мкА
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 3 Ом
• Тип корпуса: DPAK
• Power Dissipation Pd: 25 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 25 Вт
• Pulse Current Idm: 5.4 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 50V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 0.07mJ
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3.9 В
• Voltage Vgs th Min: 2.1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5