Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet SPD02N80C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Infineon SPD02N80C3

Наименование модели: SPD02N80C3

27 предложений от 20 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Зенер
Россия и страны ТС
SPD02N80C3ATMA1
Infineon
93 ₽
Microfind
Россия
SPD02N80C3
Infineon
109 ₽
SPD02N80C3XT
Infineon
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
SPD02N80C3ATMA1
Infineon
по запросу
Выбираем оптимальный датчик влажности: обзор решений Winsen, HOPERF, Novosense и других компаний

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VDS · · · ·
G
G
TC TC tp VDD Tjmax EAR VDD Tjmax Gate source voltage VGS VGS Ptot ± Tjmax
Rev.

2.5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On Resistance Rds(on): 2.7 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 2 А
  • Тип корпуса: TO-252
  • Power Dissipation Pd: 42 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet SPD02N80C3 - Infineon MOSFET, N, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка