Клеммные колодки Keen Side

Datasheet SPD03N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Infineon SPD03N50C3

Наименование модели: SPD03N50C3

31 предложений от 18 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 9,6А; 38Вт; PG-TO252
Элитан
Россия
SPD03N50C3ATMA1
Infineon
44 ₽
Десси
Россия
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ SPD03N50C3
Infineon
64 ₽
ЭИК
Россия
SPD03N50C3ATMA1
Infineon
от 98 ₽
TradeElectronics
Россия
SPD03N50C3_08
Infineon
по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
Tjmax
G
G
TC TC tp VDD Tjmax EAR VDD Tjmax Gate source voltage VGS VGS Ptot Reverse diode dv/dt 5) dv/dt 15 V/ns ± Tjmax

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 560 В
  • On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 38 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 3.2 А
  • Тип корпуса: TO-252
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 560 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SPD03N50C3 - Infineon MOSFET, N, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка