Datasheet SPD03N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SPD03N50C3
![]() 31 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 9,6А; 38Вт; PG-TO252 | |||
SPD03N50C3ATMA1 Infineon | 44 ₽ | ||
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ SPD03N50C3 Infineon | 64 ₽ | ||
SPD03N50C3ATMA1 Infineon | от 98 ₽ | ||
SPD03N50C3_08 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-252
Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
Tjmax
G
G
TC TC tp VDD Tjmax EAR VDD Tjmax Gate source voltage VGS VGS Ptot Reverse diode dv/dt 5) dv/dt 15 V/ns ± Tjmax
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 560 В
- On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 38 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 3.2 А
- Тип корпуса: TO-252
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 560 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть