Datasheet SPD04N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SPD04N50C3
![]() 31 предложений от 16 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
SPD04N50C3T Infineon | 40 ₽ | ||
SPD04N50C3ATMA1 Infineon | от 51 ₽ | ||
SPD04N50C3ATMA1 Infineon | 117 ₽ | ||
SPD04N50C3ATMA1 Infineon | 446 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-252
Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
Tjmax
G
G
TC TC tp VDD Tjmax EAR VDD Tjmax Gate source voltage VGS VGS Ptot Reverse diode dv/dt
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 560 В
- On Resistance Rds(on): 950 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 4.5 А
- Тип корпуса: TO-252
- Power Dissipation Pd: 50 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 560 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A