Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SPD04N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Infineon SPD04N50C3

Наименование модели: SPD04N50C3

27 предложений от 16 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 560В; 4,5А; 42Вт; PG-TO252-3
SPD04N50C3 (ST-STD7N52DK3)
STMicroelectronics
22 ₽
ЧипСити
Россия
SPD04N50C3T
Infineon
47 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SPD04N50C3BTMA1
Infineon
52 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SPD04N50C3
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
Tjmax
G
G
TC TC tp VDD Tjmax EAR VDD Tjmax Gate source voltage VGS VGS Ptot Reverse diode dv/dt

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 560 В
  • On Resistance Rds(on): 950 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 4.5 А
  • Тип корпуса: TO-252
  • Power Dissipation Pd: 50 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 560 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet SPD04N50C3 - Infineon MOSFET, N, TO-252

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России