Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SPD06N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Infineon SPD06N60C3

Наименование модели: SPD06N60C3

28 предложений от 17 поставщиков
N-Channel 650 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
AllElco Electronics
Весь мир
SPD06N60C3ATMA1
Infineon
от 26 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SPD06N60C3BTMA1
Infineon
60 ₽
Элитан
Россия
SPD06N60C3ATMA1
Infineon
163 ₽
SPD06N60C3
Infineon
от 290 ₽
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD06N60C3
CoolMOS
Features
TM
Power Transistor

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 750 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 6.2 А
  • Тип корпуса: TO-252
  • Power Dissipation Pd: 74 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 650 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet SPD06N60C3 - Infineon MOSFET, N, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка