Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SPD06N80C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Infineon SPD06N80C3

Наименование модели: SPD06N80C3

59 предложений от 25 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 83Вт
Lixinc Electronics
Весь мир
SPD06N80C3BTMA1
Infineon
от 53 ₽
SPD06N80C3ATMA1
Infineon
от 150 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SPD06N80C3
Infineon
по запросу
LifeElectronics
Россия
SPD06N80C3
Infineon
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD06N80C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Worldwide best RDS(on) in TO252 · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated VDS RDS(on) ID 800 0.9 6
PG-TO252
V A
Type SPD06N80C3

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On Resistance Rds(on): 900 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 83 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 6 А
  • Тип корпуса: TO-252
  • Pulse Current Idm: 18 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SPD06N80C3 - Infineon MOSFET, N, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка