Datasheet SPD06N80C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SPD06N80C3
![]() 59 предложений от 25 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 83Вт | |||
SPD06N80C3BTMA1 Infineon | от 53 ₽ | ||
SPD06N80C3ATMA1 Infineon | от 150 ₽ | ||
SPD06N80C3 Infineon | по запросу | ||
SPD06N80C3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-252
Краткое содержание документа:
SPD06N80C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Worldwide best RDS(on) in TO252 · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated VDS RDS(on) ID 800 0.9 6
PG-TO252
V A
Type SPD06N80C3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On Resistance Rds(on): 900 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 83 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 6 А
- Тип корпуса: TO-252
- Pulse Current Idm: 18 А
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть