ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SPD08N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Infineon SPD08N50C3

Наименование модели: SPD08N50C3

26 предложений от 16 поставщиков
МОП-транзистор COOL MOS N-CH 500V 7.6A
SPD08N50C3 (ST-STD10NM50N)
STMicroelectronics
28 ₽
AiPCBA
Весь мир
SPD08N50C3
Infineon
62 ₽
ЧипСити
Россия
SPD08N50C3BTMA1
Infineon
67 ₽
LifeElectronics
Россия
SPD08N50C3
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD08N50C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Worldwide best RDS(on) in TO-252 · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
560 0.6 7.6
PG-TO252

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 7.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 560 В
  • On Resistance Rds(on): 600 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 7.6 А
  • Тип корпуса: TO-252
  • Power Dissipation Pd: 83 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 560 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet SPD08N50C3 - Infineon MOSFET, N, TO-252

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России