Datasheet SPI11N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит

Купить SPI11N60CFD на РадиоЛоцман.Цены — от 148 до 255 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, 3 PIN
Кремний Россия и страны СНГ	SPI11N60CFD	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SPI11N60CFD Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	SPI11N60CFD Infineon	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	SPI11N60CFD Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-262

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPI11N60CFD Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Intrinsic fast-recovery body diode · Extreme low reverse recovery charge
PG-TO262
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
650 0.44 11

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 440 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 11 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 125 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A