Datasheet SPI15N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит

Купить SPI15N60CFD на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 360 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN
Lixinc Electronics Весь мир	SPI15N60CFD Rochester Electronics	129 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	SPI15N60CFD Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SPI15N60CFD Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	SPI15N60CFD Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-262

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPI15N60CFD
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Intrinsic fast-recovery body diode · Extremely low reverse recovery charge · Ultra low gate charge · Extreme dv /dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications CoolMOS CFD designed for: · Softswitching PWM Stages · LCD & CRT TV Type Type SPI15N60CFD SPP15N60CFD Package Package PG-TO262 PG-TO220 Marking Marking 15N60CFD 15N60CFD
Product Summary V DS @ Tjmax R DS(on),max ID 650 V
0.330 13.4 PG-TO262 A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 13.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 330 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-262
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 13.4 А
• Тип корпуса: TO-262
• Power Dissipation Pd: 156 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A