Datasheet SPI15N65C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит
Наименование модели: SPI15N65C3
![]() 14 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, TO-262 N-CH 650V 15A | |||
SPI15N65C3 Infineon | 58 ₽ | ||
SPI15N65C3XKSA1 Infineon | 141 ₽ | ||
SPI15N65C3 Infineon | 142 ₽ | ||
SPI15N65C3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-262
Краткое содержание документа:
SPI15N65C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max Q g,typ 650 0.28 63 V nC
TO-262-3-1 CoolMOS C3 designed for: · Notebook Adapter
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 15 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 280 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-262
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 15 А
- Тип корпуса: TO-262
- Power Dissipation Pd: 156 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A