Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SPI15N65C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит

Infineon SPI15N65C3

Наименование модели: SPI15N65C3

14 предложений от 13 поставщиков
CoolMOSTM Power Transistor Features Extreme dv/dt rated
ChipWorker
Весь мир
SPI15N65C3
Infineon
56 ₽
AiPCBA
Весь мир
SPI15N65C3
Infineon
114 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SPI15N65C3XKSA1
Infineon
от 130 ₽
SPI15N65C3
Infineon
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-262

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPI15N65C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max Q g,typ 650 0.28 63 V nC
TO-262-3-1 CoolMOS C3 designed for: · Notebook Adapter

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 15 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 280 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-262
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 15 А
  • Тип корпуса: TO-262
  • Power Dissipation Pd: 156 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 650 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet SPI15N65C3 - Infineon MOSFET, N, TO-262

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка