Datasheet SPI20N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит

Купить SPI20N60CFD на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 283 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, 3 PIN
Lixinc Electronics Весь мир	SPI20N60CFD Rochester Electronics	146 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SPI20N60CFD Infineon	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	SPI20N60CFD Infineon	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SPI20N60CFD (ST-STI18NM60N)	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-262

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPI20N60CFD Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Worldwide best RDS(on) in TO 220 · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Intrinsic fast-recovery body diode · Extreme low reverse recovery charge VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.22 20.7
PG-TO262
V A
Type SPI20N60CFD Maximum Ratings Parameter

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 220 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-262
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 20.7 А
• Тип корпуса: TO-262
• Power Dissipation Pd: 208 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A